2SK3666G-3-AE3-R Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | UTC(Unisonic Tech) | PartGenie

KI-Zusammenfassung

2SK3666G-3-AE3-R product

Der 2SK3666G-3-AE3-R ist ein N-Kanal-JFET von UTC, der für niederfrequente Signalverarbeitung und Sensoranwendungen im SOT-23-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

Niederfrequenzverstärker
Impedanzwandler
Infrarotsensor-Schaltungen

Vermeiden, wenn

Hochfrequenz-Schaltanwendungen
Hochleistungsanforderungen

Vor der Verwendung prüfen

IDSS-Rangklassifizierung
Gate-Source-Spannungsgrenzen

Wichtige Specs

Typ: N-Kanal JFET
VDSS: 30 V
IDSS Bereich (Rang 3): 1,2 ~ 3,0 mA

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

VerstärkerSensorschnittstelle

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 2SK3666G-3-AE3-R laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-JFET von UTC, der für niederfrequente Verstärkeranwendungen und Impedanzwandler entwickelt wurde.