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30H10K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

30H10K product

30H10K

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V100ATO-252

Der 30H10K ist ein 30V, 100A N-Kanal-Trench-MOSFET im TO-252-Gehäuse, der für hocheffiziente Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • PWM-Steuerung
  • Lastschaltung
  • Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Spannungen über 30V
  • Extrem platzkritische Designs, bei denen DPAK zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
100 A
RDS(ON)
4.2 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Lead free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

291f952c243948adb1fffbfdcdd15337_2201121530_Shenzhen-Fuman-Elec-30H10K_C2932013.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 30H10K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der 30H10K ist ein N-Kanal-Trench-Leistungs-MOSFET, der für Hochstromanwendungen entwickelt wurde und einen niedrigen RDS(ON) sowie schnelle Schalteigenschaften bietet.