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3DD4242DM-126 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

3DD4242DM-126 product

3DD4242DM-126

Discrete Semiconductor Products

NPNBJTHochspannungTO-126

Der 3DD4242D ist ein NPN-Bipolartransistor für hohe Spannungen, der speziell für Schaltanwendungen in Beleuchtung und Netzteilen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Energiesparlampen
  • Elektronische Vorschaltgeräte
  • Hochfrequenz-Schaltnetzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Schaltfrequenzen über 4MHz
  • Spannungen über 400V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gehäuseabmessungen

Wichtige Specs

VCEO
400 V
IC
1,5 A
Verlustleistung
20 W
Gehäuse
TO-126

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikBeleuchtung

Datenblatt

c2e59f834866aabf5c1122a22e353ab6_1811072018_Jilin-Sino-Microelectronics-3DD4242DM-126_C272486.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 3DD4242DM-126 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Bipolartransistor (BJT) von Jilin Sino-Microelectronics, der für Leistungsanwendungen wie elektronische Vorschaltgeräte optimiert ist.