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3N10-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

3N10-HXY product

3N10-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VSOT-23

Der 3N10-HXY ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Schaltanwendungen mit geringer Leistung und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
3 A
RDS(ON)
248 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

977e3c5c818172dcef82a99061953df5_2212161130_HXY-MOSFET-3N10-HXY_C4748729.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 3N10-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf Trench-Technologie basiert und für 100V und 3A ausgelegt ist.