3N10-MS Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | MSKSEMI | PartGenie

KI-Zusammenfassung

3N10-MS product

Der 3N10-MS ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für kleine Schaltanwendungen und Lastmanagement.

Ideal für

Kleine Schaltanwendungen
Lastschalter

Vermeiden, wenn

Hochstromanwendungen über 3A
Anwendungen mit Gate-Ansteuerung unter 4,5V

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitung im SOT-23-Gehäuse
Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

BVDSS: 100V
ID: 3A
RDS(on): 90mΩ (Typ)

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Leistungsschaltung

Datenblatt

9fbb3505cd168bb2955be6a1a6ca18f4_2210271600_MSKSEMI-3N10-MS_C5140035.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 3N10-MS laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Graben-MOSFET von MSKSEMI, der für effizientes Schalten kleiner Leistungen entwickelt wurde.