4N65 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | GOODWORK | PartGenie

KI-Zusammenfassung

4N65 product

Der 4N65 ist ein 650V, 4A N-Kanal-MOSFET im TO-252-Gehäuse, der für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen entwickelt wurde.

Ideal für

Schaltnetzteile (SMPS)
Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV)
Leistungsfaktorkorrektur (PFC)

Vermeiden, wenn

Anwendungen, die einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand oder sehr hohe Schaltfrequenzen erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerungsanforderungen.

Wichtige Specs

VDSS: 650 V
ID: 4 A
RDS(ON): 2.4 Ω
PD: 36 W

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 4N65 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der 4N65 ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 650V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 4A.