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60N03 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

60N03 product

60N03

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V60ATO-252

Der 60N03 ist ein N-Kanal-MOSFET mit 30V und 60A im TO-252-3L-Gehäuse, der für schnelles Schalten in Leistungsmanagement- und PWM-Anwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • PWM-Steuerschaltungen
  • Lastschalter
  • Allgemeines Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit VDS > 30V
  • Extrem platzkritische Designs, die kleinere Gehäuse wie DFN erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Pegel der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
60 A
RDS(on)
7,5 mΩ
Qg
13,3 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementPWM-Anwendungen

Datenblatt

270156e9cc5d6110277b396a8b5d0578_2308071627_HL-60N03_C7471101.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 60N03 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der 60N03 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 30V und einer kontinuierlichen Drain-Strombelastbarkeit von 60A, untergebracht in einem oberflächenmontierbaren TO-252-3L-Gehäuse.