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60N06 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

60N06 product

60N06

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VLeistung

Der 60N06 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit 60V und 50A, der auf Trench-Technologie basiert und für effiziente Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschalter
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 60V VDS oder extrem platzkritische Designs.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerung.

Wichtige Specs

VDS
60V
ID
50A
RDS(ON)
<17mΩ
Gehäuse
TO-252

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Energiemanagement

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 60N06 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der 60N06 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von GOFORD, der Trench-Technologie für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand nutzt.