9014M-C HJ6C Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | BL | PartGenie

KI-Zusammenfassung

9014M-C HJ6C product

Der 9014M-C ist ein NPN-Siliziumtransistor im SOT-23-Gehäuse, der speziell für rauscharme Vorverstärkeranwendungen optimiert ist.

Ideal für

Rauscharme Audio-Vorverstärker
Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

Hochleistungsanwendungen über 400mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

hFE-Matching für Differenzverstärker

Wichtige Specs

hFE-Bereich: 200-600
VCEO: 45 V
IC: 100 mA

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

Audio-Vorverstärker

Datenblatt

2108150230_Foshan-Blue-Rocket-Elec-9014M-C-HJ6C_C2859128.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für 9014M-C HJ6C laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Bipolartransistor (BJT) im SOT-23-Gehäuse, der für rauscharme Vorverstärkerstufen konzipiert ist.