ADQ120N080G2 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | ANHI Semiconductor | PartGenie

KI-Zusammenfassung

ADQ120N080G2 product

Der ADQ120N080G2 ist ein 1200V SiC-N-Kanal-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen in der Industrie- und Stromversorgungstechnik optimiert ist.

Ideal für

Hocheffiziente Stromwandlung
Wechselrichter
Industrielle Netzteile

Vermeiden, wenn

Niederspannungsanwendungen, bei denen SiC nicht kosteneffizient ist

Vor der Verwendung prüfen

Gate-Ansteuerspannungspegel
Wärmewiderstandsanforderungen

Wichtige Specs

VDS: 1200 V
ID: 35 A
RDS(on): 80 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: RoHS Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

StromwandlungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ADQ120N080G2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 1200V Siliziumkarbid (SiC) Leistungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und schnellen Schalteigenschaften.