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AFE252012S2R2MBT KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AFE252012S2R2MBT product

AFE252012S2R2MBT

Chokes

LeistungsinduktorSMD2520 Gehäuse

Der AFE252012S2R2MBT ist ein leistungsstarker 2,2µH-Leistungsinduktor im 2520-Gehäuse, der für Anwendungen mit hohem Strombedarf in kompakten Geräten optimiert ist.

Ideal für

  • Smartphones
  • Wearables
  • Tragbare Spielkonsolen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem hohe Induktivitätswerte oder einen sehr niedrigen Gleichstromwiderstand außerhalb des angegebenen Bereichs erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement im endgültigen PCB-Design.

Wichtige Specs

Induktivität
2,2 µH
Sättigungsstrom
3,3 A
Max. Gleichstromwiderstand
65 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
Compliant
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

8166a437ed6b6dca91fa913905457e4f_2406121522_Magnetsyc-AFE252012S2R2MBT_C22459322.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AFE252012S2R2MBT laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Mini-Leistungsinduktor in Chip-Bauweise mit einem Induktivitätswert von 2,2µH, der für ein effizientes Energiemanagement in platzkritischen Geräten entwickelt wurde.