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AFE252012S3R3MBT KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AFE252012S3R3MBT product

AFE252012S3R3MBT

Chokes

LeistungsinduktivitätSMDAbgeschirmt

Der AFE252012S3R3MBT ist eine kompakte, leistungsstarke geformte Leistungsinduktivität für platzkritische Unterhaltungselektronik.

Ideal für

  • Smartphones
  • Wearable-Technologie
  • Tragbare Spielgeräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen extrem niedrigen DCR unter 50 mΩ erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung im endgültigen PCB-Layout

Wichtige Specs

Induktivität
3,3 µH
Nennstrom
1,8 A
Sättigungsstrom
2,7 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
Compliant
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikEnergieverwaltung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AFE252012S3R3MBT laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine abgeschirmte 3,3-µH-Leistungsinduktivität für Hochstromanwendungen in kompakten elektronischen Geräten.