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AGM10N65F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AGM10N65F product

AGM10N65F

MOSFETs - Single

MOSFET650VN-KanalLeistung

Der AGM10N65F ist ein 650V, 10A N-Kanal-Trench-MOSFET für hocheffiziente Leistungsanwendungen.

Ideal für

  • Leistungswandlung
  • Beleuchtungstechnik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem hohen Anforderungen an den thermischen Widerstand

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
650 V
ID
10 A
RDS(on)
0.77 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungIndustrie

Datenblatt

5d9c23ba907a9992ea9874a832aa0feb_2306191430_AGM-Semi-AGM10N65F_C7431155.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AGM10N65F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Trench-MOSFET mit 650V Durchbruchspannung und 10A Dauerstrom, optimiert für geringe Leitungsverluste.