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AGM12N10A KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AGM12N10A product

AGM12N10A

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistung

Der AGM12N10A ist ein 100V, 55A N-Kanal-Trench-MOSFET, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen in einem kompakten PDFN5*6-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Batterieschutz
  • Synchrongleichrichtung
  • BLDC-Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
55 A
RDS(on)
9,3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

90569692fdca7a2418a5a7240bb4af9d_2402221102_AGM-Semi-AGM12N10A_C5464768.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AGM12N10A laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AGM12N10A ist ein fortschrittlicher Trench-MOSFET mit niedrigem RDS(ON) und geringer Gate-Ladung, der für Leistungsschaltanwendungen optimiert wurde.