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AGM12N10AP KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AGM12N10AP product

AGM12N10AP

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET100VPDFN3.3

Der AGM12N10AP ist ein 100V, 55A N-Kanal-Trench-MOSFET im kompakten PDFN3.3*3.3-Gehäuse, optimiert für effiziente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Motorsteuerung
  • Netzteile

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Durchsteckmontage erfordern oder eine Verlustleistung von über 83W überschreiten.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand und PCB-Layout für die Wärmeableitung.

Wichtige Specs

BVDSS
100 V
ID
55 A
RDS(on)
9,3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

bcd52f54aee3821e7e56e4f7d37cad25_2309121403_AGM-Semi-AGM12N10AP_C17701055.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AGM12N10AP laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für hocheffizientes Schalten entwickelt wurde und auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.