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AGM14N10D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AGM14N10D product

AGM14N10D

MOSFETs - Single

N-KanalTrench-MOSFET100VTO-252

Der AGM14N10D ist ein 100V, 50A N-Kanal-Trench-MOSFET im TO-252-Gehäuse, der für geringe Leitungsverluste und schnelles Schalten in Leistungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Batterieschutz
  • BLDC-Motortreiber
  • Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem flache Gehäuse erfordern (z.B. DFN/QFN).

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
50 A
RDS(on)
12 mΩ
Qg
30,5 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementMotorsteuerung

Datenblatt

1ae636a52723dcc863eced91fe7b4781_2304121000_AGM-Semi-AGM14N10D_C5447815.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AGM14N10D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AGM14N10D ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie nutzt, um einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Gate-Ladung für hocheffiziente Stromwandlungen zu erreichen.