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AGM18N10AP KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AGM18N10AP product

AGM18N10AP

MOSFETs - Single

N-KanalTrench-MOSFET100VPDFN3.3*3.3

Der AGM18N10AP ist ein 100V, 35A N-Kanal-Trench-MOSFET im kompakten PDFN3.3*3.3-Gehäuse, der für geringe Leitungsverluste und effizientes Schalten optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Batterieschutz
  • BLDC-Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine VDS von mehr als 100V oder einen deutlich höheren Strom als 35A erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Layout für das PDFN3.3*3.3-Gehäuse.

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
35 A
RDS(on)
17 mΩ
Qg
12.5 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

fb9b8c399358a414baef138c2100bb19_2402221102_AGM-Semi-AGM18N10AP_C7509649.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AGM18N10AP laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Trench-MOSFET von AGM-Semi mit einer Drain-Source-Spannung von 100V und einem Dauerstrom von 35A.