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AGM20N65F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AGM20N65F product

AGM20N65F

MOSFETs - Single

MOSFET650V20ATrench

Der AGM20N65F ist ein 650V, 20A N-Kanal-Trench-MOSFET für hocheffiziente Leistungsanwendungen mit niedrigem Einschaltwiderstand.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • Elektronische Vorschaltgeräte

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem flache SMD-Komponenten erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung bei 100°C

Wichtige Specs

Vdss
650 V
Id
20 A
RDS(on)
0.36 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Netzteil

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AGM20N65F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Trench-MOSFET mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 650V und einem Dauerstrom von 20A.