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AGM30P10A KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AGM30P10A product

AGM30P10A

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETTrenchPDFN5*6

Der AGM30P10A ist ein P-Kanal-Trench-MOSFET mit -30V und -40A im PDFN5*6-Gehäuse, optimiert für effiziente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige RDS(on)-Werte erfordern, wo N-Kanal möglich wäre

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-40 A
RDS(on)
11 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AGM30P10A laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der in einem kompakten PDFN5*6-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert wird.