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AGM30P55D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AGM30P55D product

AGM30P55D

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30VTO-252

Der AGM30P55D ist ein leistungsstarker -30V P-Kanal-Trench-MOSFET im TO-252-Gehäuse, der für geringe Leitungsverluste in Energieanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung
  • Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Hochspannungssysteme über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-65 A
RDS(on)
5 mΩ
Qg
28 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

3157e36ef23c7455043199f538cfca0d_2311161805_AGM-Semi-AGM30P55D_C19193070.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AGM30P55D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Trench-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von -30V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von -65A im TO-252-Gehäuse.