ProjektePreiseInsights

AGM311MAP KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AGM311MAP product

AGM311MAP

MOSFETs - Single

MOSFETDual N-KanalTrench-Technologie

Der AGM311MAP ist ein dualer N-Kanal-Trench-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen in einem kompakten PDFN3.3*3.3-Gehäuse entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung
  • BLDC-Motorsteuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 30 V Drain-Source-Spannung
  • Hochstromanwendungen über 25 A Dauerstrom

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

BVDSS
30 V
ID
25 A
RDS(on)
10,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

MotorsteuerungEnergieverwaltung

Datenblatt

b8b56f6d38a2f5e6cf6c82d75db1f253_2212011530_AGM-Semi-AGM311MAP_C5297491.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AGM311MAP laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AGM311MAP ist ein dualer N-Kanal-Trench-MOSFET von AGM-Semi, der für geringe Leitungsverluste und schnelles Schalten in kompakten Leistungsanwendungen optimiert ist.