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AGM314MAP KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AGM314MAP product

AGM314MAP

MOSFETs - Single

MOSFETDual-KanalTrench-Technologie

Der AGM314MAP ist ein komplementärer N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET, der für effizientes Energiemanagement in kompakten Designs optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschalter
  • Batterieschutzschaltungen
  • BLDC-Motortreiber

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Spannungsfestigkeiten über 30V erfordern
  • Designs mit extrem hoher Verlustleistung über 29,7W

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
30V / -30V
ID
30A / -20A
RDS(on)
10mΩ / 18,5mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementMotorsteuerung

Datenblatt

9fa3cf575b7460430e8fcb3a82f853bd_2309121403_AGM-Semi-AGM314MAP_C17701056.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AGM314MAP laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AGM314MAP ist ein Paar aus N-Kanal- und P-Kanal-MOSFETs in einem platzsparenden PDFN3.3x3.3-Gehäuse, das Trench-Technologie für einen niedrigen RDS(ON) nutzt.