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AGM425ME KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AGM425ME product

AGM425ME

MOSFETs - Arrays

MOSFETDualN-KanalP-Kanal

Der AGM425ME ist ein duales N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Array für kompakte Leistungsmanagement-Anwendungen.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Batterieschutz
  • BLDC-Motortreiber

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,25 W Verlustleistung
  • Anwendungen, die eine High-Side-Gate-Treiber-Isolierung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Konfiguration
N- und P-Kanal
VDS
40V / -40V
ID
6,6A / -3,3A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsmanagementMotorsteuerung

Datenblatt

a26d336b39e597b995833f51d2874aad_2404221510_AGM-Semi-AGM425ME_C22386137.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AGM425ME laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AGM425ME ist ein duales MOSFET-Array, das sowohl einen N-Kanal- als auch einen P-Kanal-MOSFET in einem SOT-23-6L-Gehäuse enthält und für platzsparende Leistungsschaltanwendungen geeignet ist.