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AGM55P10D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AGM55P10D product

AGM55P10D

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET100VTO-252

Der AGM55P10D ist ein P-Kanal-Trench-MOSFET mit -100V und -30A im TO-252-Gehäuse, optimiert für effiziente Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Batterieschutz

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Verlustleistungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
-100 V
ID
-30 A
RDS(on)
52 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

14108c5885c16480ef49ca2dba2d2a8e_2306191430_AGM-Semi-AGM55P10D_C7431164.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AGM55P10D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET in Trench-Technologie, der für hocheffizientes Schalten in einem TO-252-Gehäuse ausgelegt ist.