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AGM6015H KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AGM6015H product

AGM6015H

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VTO-263

Der AGM6015H ist ein leistungsstarker 60V N-Kanal-Trench-MOSFET, der für Hochstromanwendungen mit geringen Leitungsverlusten optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschalter
  • Batterieschutz
  • BLDC-Motorsteuerungen

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die kleinere Gehäuse als TO-263 erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen
  • Strombelastbarkeit des Gate-Treibers

Wichtige Specs

VDS
60V
ID
210A
RDS(on)
1,5mΩ
Gehäuse
TO-263

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AGM6015H laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AGM6015H ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 60V und einem Dauerstrom von 210A.