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AGM612AP KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AGM612AP product

AGM612AP

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VTrench

Der AGM612AP ist ein 60V N-Kanal-Trench-MOSFET für hocheffiziente Leistungsanwendungen, der sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und ein kompaktes PDFN3.3*3.3-Gehäuse auszeichnet.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Batterieschutz
  • BLDC-Motortreiber

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die mehr als 60V oder extrem hohe Dauerströme erfordern, die die thermischen Grenzen des Gehäuses überschreiten.

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung und Pegel der Gate-Ansteuerspannung.

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
50 A
RDS(on)
11 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementMotorsteuerung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AGM612AP laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AGM612AP ist ein N-Kanal-Trench-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 60V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 50A.