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AGMH022P10H KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AGMH022P10H product

AGMH022P10H

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET100VTO-263

Der AGMH022P10H ist ein leistungsstarker -100V P-Kanal-Trench-MOSFET im TO-263-Gehäuse, optimiert für Hochstrom-Energieverwaltung und Motorsteuerung.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Batterieschutz
  • BLDC-Motortreiber
  • Synchrongleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Platzkritische Designs, bei denen TO-263 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-100V
ID
-65A
RDS(on)
15mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AGMH022P10H laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit fortschrittlicher Trench-Technologie, der für hocheffiziente Schalt- und Schutzanwendungen entwickelt wurde.