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AGMH035N10H KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AGMH035N10H product

AGMH035N10H

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET100VTO-263

Der AGMH035N10H ist ein leistungsstarker 100V N-Kanal-Trench-MOSFET im TO-263-Gehäuse, der für Hochstromanwendungen wie Motorsteuerungen und Netzteile entwickelt wurde.

Ideal für

  • BLDC-Motorsteuerungen
  • Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen
  • Batterieschutzschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Platzkritische Designs, die kleinere Gehäuse als TO-263 erfordern
  • Anwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung für sehr hohe Schaltfrequenzen benötigen

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeableitung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
160 A
RDS(on)
3,5 mΩ
Gehäuse
TO-263

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungMotorsteuerung

Datenblatt

623c5abd1a733aeb469ebf1ac1a52845_2402221102_AGM-Semi-AGM-Semi-AGMH035N10H_C5464790.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AGMH035N10H laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrigen RDS(ON) und schnelles Schalten in einem TO-263-Gehäuse optimiert ist.