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ANR252012T100M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ANR252012T100M product

ANR252012T100M

Chokes

AbgeschirmtDrahtgewickeltLeistungsinduktivität

Der APV ANR252012T100M ist eine 10µH abgeschirmte Leistungsinduktivität im kompakten 2520 SMD-Gehäuse, ideal für platzkritische Stromversorgungen.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • LED-Treiber
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 0,8A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung bei hoher Packungsdichte

Wichtige Specs

Induktivität
10 µH
Nennstrom
0,68 A
Gleichstromwiderstand
0,683 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
Compliant
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikStromversorgung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ANR252012T100M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine magnetisch abgeschirmte, drahtgewickelte SMD-Leistungsinduktivität mit 10µH Induktivität.