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ANR252012T3R3M KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ANR252012T3R3M product

ANR252012T3R3M

Chokes

LeistungsinduktivitätAbgeschirmtSMD

Der APV ANR252012T3R3M ist eine 3,3µH abgeschirmte Leistungsinduktivität im 2520-Gehäuse, ideal für kompakte Stromversorgungen.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Tragbare Elektronik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 1,8A Spitzenstrom

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Derating-Kurven bei hohen Temperaturen

Wichtige Specs

Induktivität
3,3 µH
Sättigungsstrom
1,80 A
Gleichstromwiderstand
0,261 Ω
Gehäuse
2520

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
Compliant
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

08a035d641076784b2d704aeb610f19b_2402162140_APV-ANR252012T3R3M_C6364765.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ANR252012T3R3M laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Eine magnetisch abgeschirmte Drahtwickel-Leistungsinduktivität mit 3,3µH für die Oberflächenmontage.