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ANRL201610-R33N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ANRL201610-R33N product

ANRL201610-R33N

Chokes

LeistungsinduktivitätAbgeschirmtSMD

Der ANRL201610-R33N ist eine abgeschirmte, drahtgewickelte Leistungsinduktivität für kompakte SMD-Anwendungen.

Ideal für

  • Smartphones
  • Notebooks
  • LED-Beleuchtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extrem hohen Anforderungen an die Induktivitätspräzision

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei hoher Packungsdichte

Wichtige Specs

Induktivität
330 nH
Toleranz
±30%
Nennstrom
2,4 A
Sättigungsstrom
3,0 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
Compliant
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikEnergieverwaltung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ANRL201610-R33N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine magnetisch abgeschirmte, drahtgewickelte Leistungsinduktivität von APV, die für platzsparende Elektronik optimiert ist.