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AO3407 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AO3407 product

AO3407

FETs

P-KanalMOSFETSOT-23Energiemanagement

Der AO3407 ist ein P-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der -30V und -4.1A bei niedrigem Einschaltwiderstand bietet.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Lastschaltung
  • Energiemanagement in tragbaren Geräten

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über -4.1A
  • Umgebungen mit Temperaturen über 150°C Sperrschichttemperatur

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-4.1 A
RDS(ON) (Typ)
55 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

a15901757bdb03f532c098a7a5719672_2008301206_TWGMC-AO3407_C727158.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AO3407 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AO3407 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte, der sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und ein kompaktes SOT-23-Gehäuse auszeichnet.