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AO3416A-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AO3416A-HXY product

AO3416A-HXY

MOSFETs

MOSFETN-KanalSOT-23-3L

Der AO3416A-HXY ist ein 20V, 6,5A N-Kanal-MOSFET im SOT-23-3L-Gehäuse, optimiert für Batterieschutz und Lastschaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsgrenzen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
6,5 A
RDS(ON)
22 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

3822b6328c0af880a9c33cf073541281_2207201830_HXY-MOSFET-AO3416A-HXY_C4748720.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AO3416A-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für Anwendungen mit niedrigem RDS(ON) und niedriger Gate-Ladung entwickelt wurde.