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AO3419-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AO3419-HXY product

AO3419-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-23-3L20V

Der AO3419 ist ein P-Kanal-MOSFET mit 20V und 4,1A im SOT-23-3L-Gehäuse, optimiert für kompakte Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Hochspannung (>20V)
  • Designs, die die thermischen Grenzen überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
-20 V
ID
-4.1 A
RDS(ON)
34 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

65dd68a03d77b9d803bb45c576f4cf7e_2403261741_HXY-MOSFET-AO3419-HXY_C22367222.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AO3419-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AO3419 ist ein P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der auf Trench-Technologie basiert und für effizientes Schalten in kompakten Designs ausgelegt ist.