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AO3422-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AO3422-HXY product

AO3422-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VSOT-23-3L

Der AO3422 ist ein 60V, 4.5A N-Kanal-MOSFET im SOT-23-3L-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • PWM-Steuerung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Ströme deutlich über 4.5A erfordern oder hohe Verlustleistungen ohne ausreichende PCB-Kühlung aufweisen.

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Layout zur Wärmeableitung.

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
4.5 A
RDS(on)
85 mΩ (max bei 10V)

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

c317ef1b052dc9a5b371057df4a67fb1_2212161130_HXY-MOSFET-AO3422-HXY_C4748727.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AO3422-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

2
PartDetailsMatch
AO3422Manufacturer

URL can't contain control characters. '/component/docs/c4761bb8c615782e495e55b571d16b3e_2208091800_TECH-PUBLIC-AO3422_C5122003.pdf, https://datasheet.octopart.com/AO3422-Alpha-%26-Omega-Semiconductor-datasheet-11729254.pdf, https://sigma.octopart.com/138895710/technical_drawing/Alpha-%26-Omega-Semiconductor-AO3422.pdf, https://datasheet.octopart.com/AO3422-Alpha-%26-Omega-Semiconductor-datasheet-14060766.pdf' (found at least ' ')

Has caveats

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AO3422 ist ein N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der für hocheffiziente Schaltanwendungen mittels fortschrittlicher Trench-Technologie entwickelt wurde.