ProjektePreiseInsights

AO4800B-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AO4800B-HXY product

AO4800B-HXY

MOSFETs

Dualer MOSFETN-KanalSOP-8

Der AO4800B ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Niederspannungs-Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,5 W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id
8,5 A
RDS(on)
18 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

2b9a56aa82431c4cf438d05b3bba2d10_2404231036_HXY-MOSFET-AO4800B-HXY_C22366598.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AO4800B-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten bei niedrigen Gate-Spannungen ausgelegt ist.