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AO4884-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AO4884-HXY product

AO4884-HXY

MOSFETs - Arrays

Dual N-KanalMOSFET40VSOP-8

Der AO4884-HXY ist ein dualer N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für Batterieschutz und Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenz-Schaltanwendungen, die eine extrem niedrige Gate-Ladung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen

Wichtige Specs

VDS
40 V
ID
12 A
RDS(ON) (10V)
< 20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

5e8afc456d3ccdad89770d93b0a1ed02_2209201730_HXY-MOSFET-AO4884-HXY_C5148656.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AO4884-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-MOSFET mit fortschrittlicher Trench-Technologie, der für niedrigen RDS(ON) und geringe Gate-Ladung optimiert ist.