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AO6800-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AO6800-HXY product

AO6800-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-Kanal30VSOT-23-6L

Der AO6800-HXY ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOT-23-6L-Gehäuse, optimiert für 30V-Batterieschutz- und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,25W Verlustleistung
  • Anwendungen mit hoher Spannungsisolation

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
4,5 A
RDS(on)
38 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

3c8cfa333cc9bd6be5bc5470094fe386_2212161630_HXY-MOSFET-AO6800-HXY_C5148655.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AO6800-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten und Batterieschutz entwickelt wurde.