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AO8822-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AO8822-HXY product

AO8822-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-KanalTSSOP-8

Der AO8822 ist ein Dual-N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET im TSSOP-8-Gehäuse, optimiert für kleine Schaltanwendungen und Lastmanagement.

Ideal für

  • Kleine Schaltanwendungen
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Dauerströmen über 7A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
20V
ID
7A
RDS(ON)
14mΩ bei 4.5V

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

5e0e6b5dc505ff9cef4223c2d91c3aef_2403261743_HXY-MOSFET-AO8822-HXY_C22367365.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AO8822-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AO8822 ist ein Dual-N-Kanal-Trench-MOSFET mit hoher Zelldichte, niedrigem RDS(ON) und geringer Gate-Ladung.