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AO9926B-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AO9926B-HXY product

AO9926B-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-KanalSOP-8

Der AO9926B ist ein dualer N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für Batterieschutz und Schaltanwendungen mit einer Drain-Source-Spannung von 20V und einem Dauerstrom von 8A ausgelegt ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Niederspannungs-Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit VDS > 20V
  • Designs mit hoher Leistung über 2,25W

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmewiderstand (RθJC = 80°C/W)
  • Gate-Schwellenspannung (VGS(th) = 0,45V bis 1V)

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
8 A
RDS(on)
< 20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

a551afd4d25692a9cdaa75598ac23be0_2403261740_HXY-MOSFET-AO9926B-HXY_C22367024.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AO9926B-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AO9926B ist ein dualer N-Kanal-MOSFET von HXY MOSFET, der Trench-Technologie für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung nutzt.