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AON3611-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AON3611-HXY product

AON3611-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual-KanalN-KanalP-Kanal

Der AON3611-HXY ist ein dualer N+P-Kanal-MOSFET im DFN3X3B-8L-Gehäuse, optimiert für Batterieschutz und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Kompaktes Schalten von Lasten

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 16A/14A

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30V / -30V
ID
16A / -14A
RDS(on)
20mΩ / 30mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

bbd00dbe037e612d7034fdbad6ad87f6_2209201730_HXY-MOSFET-AON3611-HXY_C5148676.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AON3611-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal- und P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für effizientes Schalten in kompakten Anwendungen entwickelt wurde.