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AON6407-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AON6407-HXY product

AON6407-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30V100A

Der AON6407 ist ein leistungsstarker P-Kanal-MOSFET, der für Leistungsschaltanwendungen wie Batterieschutz und Lastschalter optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Extrem platzkritische Designs ohne Wärmeableitung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-100 A
RDS(on)
4 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

640df98b1a33e9a291b2b4712d712b51_2403251715_HXY-MOSFET-AON6407-HXY_C5148668.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AON6407-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AON6407 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrigen RDS(ON) und effizientes Schalten optimiert ist.