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AONR21321-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AONR21321-HXY product

AONR21321-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30V50A

Der AONR21321-HXY ist ein P-Kanal-MOSFET mit -30V und -50A im DFN5X6-8L-Gehäuse, optimiert für Lastschalt- und PWM-Anwendungen.

Ideal für

  • Lastschalter
  • PWM-Leistungsmanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Sehr platzkritische Designs, bei denen DFN5x6 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-50 A
RDS(on)
15 mΩ (max)

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungsmanagementLastschaltung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AONR21321-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der fortschrittliche Trench-Technologie für effizientes Schalten verwendet.