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AONR21357-ES KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AONR21357-ES product

AONR21357-ES

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30VLeistung

Der AONR21357-ES ist ein leistungsstarker -30V P-Kanal-MOSFET im kompakten PDFN3*3-8L-Gehäuse, ideal für Energiemanagement und DC-DC-Wandler.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Lastschalter
  • Energiemanagement in Laptops

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Extreme Umgebungen über 150°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-50 A
RDS(ON)
5,8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AONR21357-ES laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus, der für hocheffizientes Schalten und DC-DC-Wandlung entwickelt wurde.