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AOTE32136C-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AOTE32136C-HXY product

AOTE32136C-HXY

FETs

MOSFETDual N-KanalTSSOP-8

Der AOTE32136C ist ein dualer N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im TSSOP-8-Gehäuse, optimiert für Niederspannungs-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 20V
  • Designs mit mehr als 1,25W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
20V
ID
7A
RDS(on) @ 4.5V
14mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

d089c93b5375c09db36d238be7348921_2403261743_HXY-MOSFET-AOTE32136C-HXY_C22367367.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AOTE32136C-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Trench-MOSFET für kleine Leistungsschaltanwendungen.