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AP10TN135N KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP10TN135N product

AP10TN135N

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VSOT-23

Der AP10TN135N ist ein 100V N-Kanal-Trench-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für effizientes Schalten kleiner Leistungen und Lastmanagement optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Lastschalter-Anwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit hohen Strömen über 5A
  • Designs, die eine hohe Wärmeableitung ohne ausreichende PCB-Kühlung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmewiderstand (RθJA)

Wichtige Specs

VDS
100V
ID
5A
RDS(on)
90mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungsschaltung

Datenblatt

cc81b6add14e1068838b49b24f6db5ca_2208230930_MSKSEMI-AP10TN135N_C5140037.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP10TN135N laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Trench-MOSFET von MSKSEMI, der für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung optimiert ist.