AP12N10S Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | ALLPOWER | PartGenie

KI-Zusammenfassung

AP12N10S product

Der AP12N10S ist ein 100V, 12A N-Kanal-MOSFET mit Split-Gate-Trench-Technologie, der für effizientes Schalten in einem SOP-8-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

PWM-Steuerschaltungen
Lastschalter
Allgemeines Energiemanagement

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit mehr als 12A Dauerstrom
Umgebungen mit Temperaturen über 150°C

Vor der Verwendung prüfen

Gate-Ansteuerspannungspegel
Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS: 100 V
ID: 12 A
RDS(on): 8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergiemanagementIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP12N10S laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AP12N10S ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von ALLPOWER, der für effizientes Energiemanagement und Schaltanwendungen entwickelt wurde.