ProjektePreiseInsights

AP15N10K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP15N10K product

AP15N10K

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistung

Der AP15N10K ist ein 100V N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-252-Gehäuse, der für effizientes Schalten in synchronen Abwärtswandlern optimiert ist.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die höhere Ströme oder einen niedrigeren RDS(on) als 100mΩ erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Ansteuerungsanforderungen

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
14,6 A
RDS(on)
100 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

8789e14137803d1f5d933d281a55a1fc.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP15N10K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 100V N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und für niedrige Gate-Ladung und effiziente Stromwandlung optimiert ist.