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AP180N03G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP180N03G product

AP180N03G

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30V180A

Der AP180N03G ist ein leistungsstarker 30V N-Kanal-MOSFET für Anwendungen mit hohen Strömen, der sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schaltverhalten im kompakten PDFN5X6-Gehäuse auszeichnet.

Ideal für

  • Lastschalter
  • PWM-Steuerschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 30V Durchbruchspannung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
180 A
Rds(on)
1,7 mΩ
Gehäuse
PDFN5X6

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustriesteuerung

Datenblatt

3cdb44e3455dd1c6a5fc1767d6047859_2304120930_ALLPOWER-ShenZhen-Quan-Li-Semiconductor-AP180N03G_C5443711.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP180N03G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AP180N03G ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 30V und einem Dauerstrom von 180A, untergebracht in einem oberflächenmontierbaren PDFN5X6-Gehäuse.