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AP18P30Q KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

AP18P30Q product

AP18P30Q

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET30VPDFN3*3

Der AP18P30Q ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für effiziente Leistungsschaltanwendungen in einem kompakten PDFN3*3-Gehäuse entwickelt wurde.

Ideal für

  • DC/DC-Wandler
  • Lastschalter für tragbare Geräte
  • Batteriemanagementsysteme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die High-Side-Schaltungen mit sehr niedrigen Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen für das PCB-Layout.

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-20 A
RDS(on) (Typ)
10,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungTragbare Elektronik

Datenblatt

7944c17b0930ad5e6ec84ab49912e198_2304120930_ALLPOWER-ShenZhen-Quan-Li-Semiconductor-AP18P30Q_C5443704.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für AP18P30Q laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der AP18P30Q ist ein P-Kanal-Trench-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 30V und einem Dauerstrom von 20A, optimiert für schnelles Schalten.